גלאי אינפרא אדום Extended InGaAs Photodiodes | אספקה ותמיכה בישראל – TEPIL
מחפשים גלאי אינפרא-אדום (InGaAs) ליישומים מתקדמים? TEPIL מספקת Extended InGaAs Photodiodes בתחום 1.2µm-2.6µm (Bare Die & Hermetic Packages). למידע טכני והצעת מחיר כנסו.
גלאי אינפרא-אדום מתקדמים: Extended InGaAs Photodiodes
חברת TEPIL מעמידה לרשות תעשיית האלקטרו-אופטיקה, הביטחון והמחקר בישראל מגוון רחב של גלאי אינפרא-אדום (Extended InGaAs Photodiodes) בעלי רגישות גבוהה ורעש נמוך. הגלאים מותאמים לעבודה בתחומי אורך גל מורחבים בטווח ה-SWIR (Extended SWIR: 1.2 µm – 2.6 µm), ומיועדים לשילוב במערכות אופטיות מתקדמות, ציוד ניטור תעשייתי, ספקטרוסקופיה ומערכות חישה מרחוק.
מאפיינים טכניים עיקריים
- טווח אורך גל מורחב: תגובה ספקטרלית מורחבת עד 2.2µm, 2.4µm ו-2.6µm לפי דרישות המערכת.
- תצורות זמינות: אספקה בתצורת Bare Die להרכבה ייעודית או במארזים סגורים הרמטית (TO-can, SMD, Peltier cooled).
- רגישות אופטימלית: Dark Current נמוך במיוחד וזרם סיגנל יציב המבטיחים יחס אות לרעש (SNR) גבוה.
- אזור אקטיבי (Active Area): מגוון קטרים אקטיביים (כולל 1mm, 2mm, 3mm ומעלה) להתאמה מרבית למערכת האופטית.
- אמינות תעשייתית וצבאית: עמידות גבוהה בתנאי סביבה קשים ובתקנים מחמירים.
יישומים מרכזיים בתעשייה בישראל
גלאי ה-Extended InGaAs של TEPIL משולבים במגוון פרויקטים פיתוחיים וסדרתיים:
- מערכות ביטחון ותעופה: חישה אופטית, זיהוי לייזר וניטור אלקטרו-אופטי היקפי.
- ספקטרוסקופיה ואנליזה כימית: מדידת הרכב חומרים בזמן אמת בטווח ה-SWIR.
- תקשורת אופטית ובדיקות לייזר: מדידת עוצמה ופרופיל של לייזרים בתחומי אורך גל מיוחדים.
- בקרת איכות בתעשייה: זיהוי פגמים בסיליקון, מיון מוצרים ובדיקת טמפרטורה ללא מגע.
מפרט טכני להשוואה (Specifications)
| פרמטר | תחום סטנדרטי | Extended InGaAs (2.2µm) | Extended InGaAs (2.6µm) |
| טווח אורכי גל (Spectral Range) | 0.9 µm – 1.7 µm | 1.2 µm – 2.2 µm | 1.2 µm – 2.6 µm |
| Peak Responsivity | 1.55 µm | 1.9 µm – 2.0 µm | 2.3 µm – 2.4 µm |
| תצורת אריזה | Bare Die / TO-18 / TO-5 | Bare Die / TO-Can / TEC Package | Bare Die / TEC Cooled Package |
| קוטר שטח אקטיבי | 0.5mm – 3mm | 1mm – 3mm | 1mm – 3mm |
למה לבחור בגלאי InGaAs דרך TEPIL?
- תמיכה טכנית מקומית: צוות המהנדסים שלנו בישראל מלווה את הלקוח החל משלב האפיון והתכנון ועד לייצור הסדרתי.
- תמחור מותאם לכמויות (Bulk Pricing): מענה מהיר לבקשות להצעת מחיר (RFQ) להזמנות לפיתוח וליצור סדרתי בהיקפים גדולים.
- זמני אספקה מהירים: זמינות גבוהה ושרשרת אספקה רציפה למוסדות מחקר, אוניברסיטאות וחברות הייטק בישראל.
בקשת הצעת מחיר ומידע טכני נוסף (RFQ)
זקוקים למפרט טכני מלא, קובץ Data Sheet או הצעת מחיר מותאמת לכמויות? צרו עמנו קשר בטופס למטה ונציג טכני יחזור אליכם בהקדם.
3mm Extended InGaAs Photodiodes bare die – ISRAEL
3mm Extended InGaAs Photodiodes bare die – ISRAEL A 3 mm Extended InGaAs photodiode (bare die) is a light-detecting semiconductor device made from indium gallium arsenide (InGaAs) that is sensitive to infrared wavelengths. The “extended” part means it can detect a wider range of wavelengths, specifically from about 900 nm to 2200 nm, covering near-infrared …
InGaAs Photodiode Large active area
InGaAs Photodiode Large active area Photodetectors: These are devices that notice light by changing how easily electricity flows through them when light hits them. How they work: When light shines on certain materials, it changes how well electricity can move through them. This change is what photodetectors measure. What they’re used for: אנו משווקים בישראל …