דיודת פוטו Extended InGaAs בש שבב חשוף (Bare Die) – קוטר 3 מ”מ (900nm – 2200nm)
תיאור מוצר: שבב גלאי פוטודיודה מתקדם מסוג Extended InGaAs בקוטר פעיל של 3.0 מ”מ, המיועד לגילוי וגילוי אור בתחום התת-אדום הקרוב והגלי (SWIR) בטווח אורכי גל מורחב של 900nm עד 2200nm.
השבב החשוף (Bare Die) מותאם במיוחד לשילוב במכלולים אלקטרו-אופטיים מותאמים אישית (OEM), זיווד היברידי, ומערכות אופטיות מתקדמות הדורשות שטח קליטה גדול ורגישות גבוהה.
מאפיינים עיקריים:
- טווח ספקטרלי מורחב: 900nm – 2200nm (כיסוי מעבר לתחום ה-InGaAs הסטנדרטי)
- קוטר שטח פעיל (Active Area): 3.0 מ”מ – קליטה אופטימלית של אותות חלשים והקלות בכיוון אופטי
- תצורה: שבב חשוף (Bare Die / Unmounted) המוכן להרכבה על מצע מותאם
- תגובתיות גבוהה (Responsivity): מעל 0.9A/W באורכי גל השיא
- התנגדות ערוץ (Shunt Resistance): אופטימיזציה לזרם חושך נמוך ויחס אות לרעש (SNR) מעולה
יישומים מרכזיים:
- ספקטרוסקופיה בתחום NIR / SWIR
- ניטור ובקרה של לייזרים
- גילוי גזים וחיישנים סביבתיים
- פיתוח וייצור רכיבים ומודולים אלקטרו-אופטיים מותאמים אישית
- מערכות מדידה ואבחון אופטיות
Tags: 3mm InGaAs photodiode chip, Extended InGaAs detector die 900-2200nm, Extended InGaAs photodiode 2200nm, Extended InGaAs Photodiode Bare Die, Extended InGaAs Photodiode Bare Die 3mm (900-2200nm) | גלאי אינפרא אדום, Extended InGaAs photodiode die 3mm, InGaAs photodiode chip 3mm active area, SWIR photodiode bare die, SWIR photodiode chip 2.2 micron, גלאי InGaAs מורחב 2200nm, גלאי SWIR שבב חשוף, גלאי אינפרא אדום מורחב 3 מ”מ, דיודת פוטו Extended InGaAs, לטווח ספקטרלי של 900nm-2200nm (SWIR). מתאים לשילוב במערכות OEM, ספקטרוסקופיה וגילוי לייזרים., פוטודיודה InGaAs Bare Die, שבב גלאי פוטודיודה Extended InGaAs חשוף (Bare Die) בקוטר 3 מ”מ, שבב גלאי פוטודיודה InGaAs, שבב פוטודיודה לתחום SWIR
תגיות מטא (Meta Tags) להגדרות ה-SEO בוורדפרס (תוסף Yoast / Rank Math)
- Title Tag (כותרת מטא):
Extended InGaAs Photodiode Bare Die 3mm (900-2200nm) | גלאי אינפרא אדום - Meta Description (תיאור מטא):
שבב גלאי פוטודיודה Extended InGaAs חשוף (Bare Die) בקוטר 3 מ"מ, לטווח ספקטרלי של 900nm-2200nm (SWIR). מתאים לשילוב במערכות OEM, ספקטרוסקופיה וגילוי לייזרים. - Focus Keyphrase (מילת מפתח מרכזית):
Extended InGaAs Photodiode Bare Die
תוכן עשיר ומורחב לדף המוצר (להעתקה והדבקה)
דיודת פוטו Extended InGaAs בשבב חשוף (Bare Die) – קוטר 3 מ”מ (900nm – 2200nm)
סקירה כללית:
גלאי פוטודיודה מתקדם מסוג 3mm Extended InGaAs Photodiode Bare Die מיועד לגילוי אור ברגישות גבוהה בתחום התת-אדום הקרבי והגלי (SWIR – Short-Wave Infrared). השבב מציע טווח ספקטרלי מורחב מ-900nm ועד 2200nm, מעבר למגבלות של גלאי InGaAs סטנדרטיים (המוגבלים בדרך כלל עד 1700nm).
הודות לשטח הפעיל הגדול (Active Area) בקוטר של 3.0 מ”מ, הרכיב מאפשר קליטה מיטבית של אלומות אור רחבות ואותות אופטיים חלשים, תוך פישוט תהליך ה-Alignment (כיוון אופטי) במערכות מורכבות. השבב החשוף (Unmounted Chip) אידיאלי לשילוב בזיווד היברידי, מכלולים אלקטרו-אופטיים מותאמים אישית (Custom Optoelectronic Packaging) ויישומי OEM תעשייתיים ומדעיים.
מפרט טכני מרכזי (Key Specifications)
| פרמטר | ערך / תאור |
| סוג החומר (Material) | Extended InGaAs |
| תצורה (Configuration) | שבב חשוף (Bare Die / Chip) |
| טווח רגישות ספקטרלית (Spectral Range) | 900nm – 2200nm |
| קוטר שטח פעיל (Active Diameter) | 3.0 מ”מ ($3.0\,\text{mm}$) |
| תגובתיות שיא (Peak Responsivity) | $>0.9\,\text{A/W}$ |
| התנגדות ערוץ (Shunt Resistance – $R_{sh}$) | גבוהה, לייעול יחס אות לרעש (SNR) |
| זרם חושך (Dark Current) | ממוזער עבור גלאים מורחבי טווח |
| יישום זיווד (Packaging) | מתאים ל-Bonding (Wire bonding / Die attach) |
יתרונות טכנולוגיים ויישומים עיקריים
- ספקטרוסקופיה בתחום ה-NIR וה-SWIR: מדידה מדויקת של בליעת אור, אנליזה כימית וזיהוי חומרים בתעשייה הכימית והחקלאית.
- ניטור ובקרה של לייזרים: בדיקה וכיול של לייזרים הפועלים באורכי גל של 1064nm, 1550nm, 2010nm ו-2100nm.
- חיישנים סביבתיים וגילוי גזים: גילוי גזים כגון מתאן ($CH_4$), פחמן דו-חמצני ($CO_2$), ولחות על בסיס בליעה ספקטרלית.
- מערכות אופטיות מותאמות אישית (OEM Integration): תכנון מודולים היברידיים ממוזערים, מערכות בדיקה רפואיות ומערכות בדיקה ללא הרס (NDT).
שאלות נפוצות (FAQ) – מותאם ל-Google Rich Snippets
ש: מהו היתרון של Extended InGaAs על פני InGaAs סטנדרטי?
ת: גלאי InGaAs רגיל מוגבל לטווחי גל של עד כ-1700nm. טכנולוגיית Extended InGaAs מאפשרת להרחיב את תגובת הגלאי עד ל-2200nm (ואף 2600nm בגרסאות מסוימות), מה שמאפשר גילוי אורכי גל ארוכים יותר הנדרשים לניטור גזים וספקטרוסקופיה מתקדמת.
ש: למה מיועדת תצורת Bare Die (שבב חשוף)?
ת: תצורת Bare Die מיועדת מיסודה מיצרני OEM ולמעבדות מחקר המפתחות מכלולים אלקטרו-אופטיים ייעודיים. היא מאפשרת להרכיב את השבב ישירות על גבי מצע קרמי, כרטיס אלקטרוני או מעגל היברידי תוך חיסכון במקום וייעול מעבר החום.
ש: כיצד משפיע קוטר שטח פעיל של 3 מ”מ על הביצועים?
ת: קוטר פעיל של 3.0 מ”מ מספק שטח איסוף אור גדול, המקל באופן משמעותי על הכיוון האופטי (Alignment) ומאפשר איסוף יעיל של פוטונים מאלומות מפוזרות או מסיבים אופטיים בעלי ליבה עבה.