דיודת פוטו Extended InGaAs שבב חשוף (Bare Die) – קוטר 3 מ”מ (900nm – 2200nm)
דיודת פוטו Extended InGaAs בש שבב חשוף (Bare Die) – קוטר 3 מ”מ (900nm – 2200nm) תיאור מוצר: שבב גלאי פוטודיודה מתקדם מסוג Extended InGaAs בקוטר פעיל של 3.0 מ”מ, המיועד לגילוי וגילוי אור בתחום התת-אדום הקרוב והגלי (SWIR) בטווח אורכי גל מורחב של 900nm עד 2200nm. השבב החשוף (Bare Die) מותאם במיוחד לשילוב במכלולים …