חיתוך פרוסות סיליקון על ידי לייזר – Silicon wafer cutting with high power nanosecond fiber lasers

חיתוך פרוסות סיליקון על ידי לייזר  – Silicon wafer cutting with high power nanosecond fiber lasers

אם אתם מחפשים מערכת אשר תחתוך עבורכם פרוסות סיליקון בדיוק וללא פגיעה באיכות הפרוסות, אז הגעתם למקום הנכון

אנו משווקים בישראל מערכות לייזר לחיתוך מדוייק ומזערי

צרו עמנו קשר לקבלת פרטים נוספים הצעת מחיר

חיתוך פרוסות סיליקון על ידי לייזר
חיתוך פרוסות סיליקון על ידי לייזר

תרגום גוגל

הסיליקון הוא אחד המרכיבים המשמעותיים ביותר בשימוש בימינו התעשייה. בגלל הכימי שלה, תכונות חשמליות ומכאניות, סיליקון הוא חומר אידיאלי להכנת כריות לגדול חומרים אחרים על זה.

גידול אינטנסיבי של תעשיות אלקטרוניקה מוליכים למחצה דורש חקירה מעמיקה של נכסי סיליקון ושיפור תהליך העיבוד הפעיל שלה.

שני גבישים ופולי – הוופלים סיליקון גבישים שמשו בחיתוך אופטימיזציה של תהליך. הטכנולוגיה שלנו מראה כי תהליך חיתוך לייזר פרוסות סיליקון באמצעות לייזרי סיבי שבריר שנייה כוח גבוה צריך להיחשב כטכנולוגיה מפתח לתעשיות אלקטרוניקה מוליכים למחצה ואנרגיה סולארית.

התפוקה של התהליך היא די גבוהה, תוך שמירה על איכות נדרשת של מבני מיקרו במכונה. מחיר נמוך יחסית של מערכות לייזר מבוסס ארכיטקטורת MOPA מוביל לעלויות תהליך יעיל לפעילות מו”פ, כמו גם ייצור המוני.
מפרט
מהירויות חיתוך ממוצעת של 5 מ”מ / s (לסיליקון גבישים) ו- 7 מ”מ / s (לפולי – סיליקון גבישים) מושגות (העובי ‘הוופלים 450 מיקרומטר). חדירת חום השפיע אזורים וסדקי מיקרו הוא ציינה ברוחב של פחות מ -20 מיקרומטר לגבישים ופחות מ -30 מיקרומטר לפרוסות סיליקון פולי-גבישים.

Silicon is one of the most significant elements used in nowadays industry. Because of its chemical, electrical and mechanical properties, silicon is an ideal material for making pads to grow other materials on it.

Intensive growth of semiconductor electronics industries require in-depth exploration of silicon properties and its active machining process improvement.

Both crystalline and poly – crystalline silicon wafers were used in cutting process optimization. Our technology shows that silicon wafers laser cutting process using high power nanosecond fiber lasers should be considered as a key technology for semiconductors electronics and solar energy industries.

The throughput of the process is high enough while keeping required quality of structures micro machined. Relatively low price of MOPA architecture based laser systems leads to cost effective process for R&D activities as well as mass production.
Specification
Average cutting speeds of 5 mm/s (for crystalline silicon) and 7 mm/s (for poly – crystalline silicon) are achieved (wafers’ thickness 450 μm). Heat affected zones and micro cracks penetration is observed in the width less than 20 μm for crystalline and less than 30 μm for poly-crystalline silicon wafers.